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微碩半導體SGT MOSFET助力立創(chuàng)電子設計開源大賽
2024-10-09 15:28:57 閱讀量：853

據(jù)最新的消息，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷經(jīng)四年自主研發(fā)，成功突破了溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的關鍵技術，標志著我國在這一領域實現(xiàn)了首次重大突破。在這個創(chuàng)新驅動的時代，作為第九屆立創(chuàng)電子設計開源大賽的協(xié)辦單位，微碩半導體（WINSOK）推出了SGT工藝新品。

SGT這種技術改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變?yōu)楦鼮閴嚎s的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻，減小熱阻。目前微碩半導體（WINSOK）新一代的低、中壓的功率MOSFET，廣泛地采用這種技術，如：WSD100N06GDN56、WSD40120DN56G、WSF15N10G、WSR170N04G等。

SGT工藝的優(yōu)點

SGT工藝MOSFET和普通溝槽型MOSFET相比，開關損耗更低，結電容更小，米勒平臺窄，內(nèi)阻低。具體而言，SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍，在柵電極下方增加了一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或稱耦合電極；屏蔽電極與源電極相連，即實現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用，減小了米勒電容，器件的開關速度得以加快，同時又實現(xiàn)了電荷耦合效應，減小了漂移區(qū)臨界電場強度，器件的導通電阻得以減小，開關損耗能夠更低。與普通溝槽型MOSFET相比，SGT MOSFET的內(nèi)阻要低2倍以上。

MOSFET通過SGT技術減小場效應晶體管的寄生電容及導通電阻，從而提升芯片性能，減小芯片面積，與普通的溝槽型MOSFET相比在同一功耗下芯片面積減少超過４成。SGT技術獨特的器件結構和掩膜版圖設計提升了產(chǎn)品的耐用度和減少了芯片面積，其獨特的工藝流程設計則減少了工藝步驟和掩膜版的數(shù)量，從而減低了MOSFET的生產(chǎn)成本，使MOSFET產(chǎn)品極具性價比，更有競爭力。

采用SGT技術制造的MOSFET，與普通的溝槽型MOSFET和平面MOSFET相比，在功率密度上占有很大的優(yōu)勢。由于SGT MOSFET具有較深的溝槽深度，可以利用更多的晶硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。

場效應管

現(xiàn)狀

如今，隨著市場上的高端MOSFET的逐步下沉，以及各大功率半導體廠商向高端產(chǎn)品研發(fā)的邁進，SGT MOSFET具有更加廣闊的發(fā)展空間。為了迎接SGT技術以及更加廣闊的市場，微碩半導體（WINSOK）優(yōu)化了現(xiàn)有的產(chǎn)品線，推出了一系列30V/60V/100V/120V等（TO-252/DNF3x3/DFN5x6/TO-220/TOLL等封裝）低內(nèi)阻、大電流、低功耗MOSFET，可應用于電子煙、無線充、電機、應急電源、無人機、醫(yī)療、車充、控制器、數(shù)碼產(chǎn)品、小家電、消費類電子等領域。

微碩半導體（WINSOK）后續(xù)將持續(xù)和立創(chuàng)商城深化合作，為客戶提供便捷的采購服務。并通過立創(chuàng)商城把微碩半導體（WINSOK）最新、最全面的產(chǎn)品信息及時提供給廣大客戶，讓客戶體驗到創(chuàng)新產(chǎn)品和優(yōu)質服務。

　|　 MOS 　|　 WINSOK(微碩)

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